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研究进展

研究进展

李林松教授课题组基于CdSe/CdS的组分和结构调控构筑高性能QLED的研究成果分别在ACS Applied Materials & Interfaces和Optics Express上发表

来源: 河南大学材料学院    日期:2019-08-30   浏览次数:

近日,李林松教授课题组基于Se/S的组分和结构调控分别合成出了高质量的CdSeS梯度合金核壳结构结构量子点和CdSe/CdS//CdS核壳结构量子点,并以这两种量子点为发光层构筑了QLED,使得器件的效率和亮度均得到了很大的提升。

首先,利用梯度合金结构量子点的优势,通过调控Se/S比例,研究发现在Se:S=1:8时,量子点表现出高量子产率(>90%)、单通道荧光衰减且非闪烁的优异光学性质。以该量子点为发光层构筑的QLED,器件的最大亮度达到92,330 cd/m2,EQE为14.5%。更重要的是,该器件在460-37,490 cd/m2的亮度范围内其效率仍然可以保持峰值的70%以上。这种优异的性能主要归因于合适的组分调整,以及晶格失配的缓解,从而提高了激子辐射复合的效率。相关研究成果发表在ACS Applied Materials & Interfaces(ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11(6), 6238-6247. SCI一区(Top期刊),IF=8.456)。

https://doi.org/10.1021/acsami.8b17127

进一步,通过探究发现非球形的量子点具有偏振极化发光和高的摩尔消光系数的特点,通过调控CdS壳层的生长速率,即一步快速生长和二次慢速生长获得了高荧光量子产率的CdSe/CdS和CdSe/CdS//CdS核壳结构的纳米棒。基于该纳米棒构筑的QLED器件亮度高达104000 cd/m2,最大外量子效率达到15.7%,是目前报道的最高值的1.3倍。器件性能的改善主要因为二次慢速壳层生长后得到的纳米棒尺寸更加均匀,结晶性更好,有效地抑制了表面缺陷引起的非辐射俄歇复合。这一结果促进了非球形量子点在发光器件中的广泛应用。相关研究成果发表在Optics Express(Optics Express, 2019, 27(6), 7935-7944. SCI二区(Top期刊),IF=3.98)上。https://doi.org/10.1364/OE.27.007935

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