2018年1月25日下午，应特种功能材料重点实验室邀请，北京大学深圳研究生院信息工程学院张冠张博士莅临实验室进行学术访问交流，并作题为“低温超临界流体与器件改善技术”的学术报告。此次报告会由特种功能材料重点实验室副主任白锋主持，实验室及河南大学相关科研单位和院系师生参加了此次会议。

张冠张博士首先从“MOSFET晶体管中的缺陷”引出超临界流体概念，并介绍了超临界流体技术的优势，超临界流体具有类似液体的溶解性与气体的穿透性，此技术可以在接近室温的状态下改善电子器件的特性。随后，张博士介绍了两种常用超临界物质，即超临界CO₂和超临界H₂O。张博士还讲述了利用超临界技术可以将元素有效的带入材料之中，并且有效活化掺杂，其中，利用超临界二氧化碳可将氮元素有效的修补进AlGaN的UV-C LED组件当中，氮元素的掺入降低了组件的缺陷程度，大幅地提升UV-C LED的发光效率。此外，低温超临界流体处理技术对于电阻式内存、薄膜晶体管、高功率晶体管、太阳能电池、二维材料器件皆有效且显著的成效。因此，超临界流体技术是可以提升电子组件特性的创新研究与技术发展。

报告会结束后，张博士与在场的老师和同学进行了热烈的学术讨论，对师生提出的问题进行了详细的解答。通过本次交流会，与会教师学生认识到超临界流体技术的特性及其应用优势，开阔了大家的视野，也提升了实验室整体的学术氛围。

张冠张：电子工程领域优秀学者，2014年毕业于中国台湾中山大学，获博士学位，现任职于北京大学深圳研究生院信息工程学院。主要从事阻变存储器与超临界流体技术应用方面的研究工作，在新颖电子器件开发方面取得了一系列突出研究成果。近年来先后與中国台湾台积电Development of Advanced Digital Memory (RRAM)合作多项横向科研项目。在薄膜晶体管（TFT）、半导体存储器，太阳能电池Solar cell，纳米器件和加工，光电器件和绿色能源等方面已经取得一系列成果，並从事先进创新研究和教学工作，在北京大學獲得青年教學基本功優等獎除了在电子工程领域的卓越贡献外，他亦取得24項技術專利(含5項美國專利)。他在超临界流体技术方面的研究成果受到国内外同行的广泛关注。张博士在IEEE EDL国际权威期刊发表论文35篇，及Applied physics letters(APL)国际权威期刊发表论文20篇，另外SCI收录论文116篇，第1作者及通讯作者28篇，被引用总次数1408, h-index 24。