2019年4月9日，应特种功能材料重点实验室邀请，中国科学院半导体研究所游经碧研究员莅临实验室进行学术交流，并做题为“钙钛矿半导体光电器件”的学术报告。本次报告会由特种功能材料重点实验室省特聘教授武四新主持，学校相关领域的老师和研究生参加了此次报告会。

游老师首先介绍了中国科学院半导体研究所及其研究方向，进而讲述了钙钛矿电池及发光器件的研究进展。他结合自己的研究工作，重点讲述了钙钛矿电池及发光器件的界面载流子运输调控，利用SnO₂取代传统的TiO₂作为电子传输层以解决平面异质结钙钛矿电池的电滞问题，通过电子传输层表面改性解决钙钛矿发光二极管电荷注入不平衡问题，以及钙钛矿电池及发光器件的表界面钝化，缺陷调控，抑制非辐射复合等方面的研究。其中，有机盐钝化钙钛矿表面缺陷可大幅度提高发光材料和器件的发光效率。最后游老师介绍了钙钛矿电池稳定性研究进展及全无机钙钛矿电池稳定生长条件等方面的研究。

报告结束后，游老师对在场的师生提出的问题进行了详细地解答，并与各位师生进行了热烈的讨论。本次报告会使在座师生受益匪浅，大家对钙钛矿半导体光电材料的界面调控和如何提高其稳定性有了进一步的理解。

游经碧，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。2005年于湖北大学电子科学技术系获学士学位，2010年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2010-2015年在美国加州大学洛杉矶分校材料科学与工程系从事博士后研究工作，随后回中国科学院半导体研究所工作。目前研究兴趣包括：新一代高效太阳能电池，新型半导体材料光电器件。近年来，在包括Nature系列(11篇),Account of Chemical Research,Adv. Mater等学术杂志上发表论文80余篇, 所发表论文被他引16000余次。